單項(xiàng)選擇題射線邊緣諸點(diǎn)分別受到面積不等的源的照射，產(chǎn)生的由高到低的劑量漸變區(qū)稱為（）

A.幾何半影
B.穿射半影
C.散射半影
D.物理半影
E.有效半影


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1.單項(xiàng)選擇題由空穴參與導(dǎo)電并形成電流的硅晶體稱為（）硅晶體。

A.“M”型
B.“N”型
C.“L”型
D.“P”型
E.“F”型

2.單項(xiàng)選擇題與其它類型劑量?jī)x相比，膠片劑量?jī)x的優(yōu)點(diǎn)除外哪項(xiàng)（）

A.可同時(shí)測(cè)量一個(gè)平面內(nèi)所有點(diǎn)劑量
B.可以減少照射時(shí)間和測(cè)量時(shí)間
C.有很高的空間分辨率
D.可以測(cè)量不均勻固體介質(zhì)中的劑量分布
E.靈敏度不受射線能量的影響

3.單項(xiàng)選擇題如以r表示電離室的半徑，則高能電子束的有效測(cè)量點(diǎn)位于（）

A.0.1r
B.0.3r
C.0.5r
D.0.75r
E.幾何中心

4.單項(xiàng)選擇題與電離室的復(fù)合效應(yīng)無(wú)關(guān)的是（）

A.電離室的幾何尺寸
B.工作電壓的選擇
C.正離子產(chǎn)生的速率
D.負(fù)離子產(chǎn)生的速率
E.電離輻射的入射方向

5.單項(xiàng)選擇題以水為吸收介質(zhì)，電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)的能量段是（）

A.1-10Kev
B.10-30Kev
C.30Kev-25Mev
D.25Mev-100Mev
E.100Mev-125Mev