A.同一深度處,射野中心軸上的劑量接近最高
B.在射野邊緣附近,劑量隨離軸距離增加而逐漸減少
C.由幾何半影、準(zhǔn)直器漏射和側(cè)向散射引起的射野邊緣的劑量漸變區(qū)稱(chēng)為有效半影
D.射野幾何邊緣以外的半影區(qū)的劑量主要由準(zhǔn)直器散射線(xiàn)造成
E.準(zhǔn)直范圍外較遠(yuǎn)的劑量由機(jī)散射線(xiàn)引起
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A.高劑量率治療的總劑量較高
B.高劑量率治療的總劑量較低
C.二者總劑量相近
D.依所用放射源而定
E.依病變部位而定
A.適形照射
B.插植照射
C.適形插植照射
D.適形組織內(nèi)照射
E.模照射
A.電子束治療技術(shù)難度小,近距離治療技術(shù)難度大
B.電子束的劑量較復(fù)雜
C.電子束治療是一次照射,近距離治療可分割照射
D.電子束治療的合并癥較多,近距離治療合并癥較少
E.電子束治療的成本較高,近距離治療的成本較低
A.腫瘤放射敏感性中等或較差
B.腫瘤體積較大
C.腫瘤侵犯骨
D.腫瘤邊界欠清
E.腫瘤體積難以確定
A.核素符號(hào)
B.核素符號(hào),輻射線(xiàn)的平均能量
C.輻射線(xiàn)的平均能量,半衰期
D.半衰期,核素符號(hào)
E.核素符號(hào),輻射線(xiàn)的平均能量,半衰期
最新試題
對(duì)射野輸出劑量的檢測(cè)頻率,加速器高于鈷60機(jī)。
人體曲面校正的組織空氣比法或組織最大劑量比方法的修正因子CF的表達(dá)式是()。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線(xiàn)比釋動(dòng)能率相等。
源皮距越小,百分深度劑量越大。
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
等效射野指的是通過(guò)計(jì)算換算后的方形野。
低LET射線(xiàn)的RBE值()1.0,高LET射線(xiàn)的RBE值()2.0。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
射野中心軸上百分深度劑量值的大小直接反應(yīng)了射線(xiàn)質(zhì)(能量)的高低。
射線(xiàn)能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變?cè)叫 ?/p>