A.5cm
B.10cm
C.15cm
D.20cm
E.25cm
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A.中子慢化
B.中子俘獲
C.中子與門產(chǎn)生的γ射線
D.散射、漏射線
E.感生射線
A.當(dāng)一個(gè)粒子與其反粒子發(fā)生碰撞時(shí),其質(zhì)量全部轉(zhuǎn)化為γ輻射能量
B.正,反粒子發(fā)生碰撞產(chǎn)生γ輻射也是一種核反應(yīng)
C.正,負(fù)電子發(fā)生碰撞時(shí),產(chǎn)生兩個(gè)能量為0.511MeVγ光子
D.正,負(fù)電子發(fā)生碰撞時(shí),產(chǎn)生一個(gè)能量為1.022MeVγ光子
E.只有靜止能量的正,負(fù)電子在湮滅時(shí),產(chǎn)生的兩個(gè)γ光子運(yùn)動(dòng)方向相反
A.本質(zhì)上比釋動(dòng)能就是給予介質(zhì)的吸收劑量
B.比釋動(dòng)能只適用于間接致電離輻射,而吸收劑量適用于所有類型輻射
C.在電子平衡條件下可由比釋動(dòng)能計(jì)算吸收劑量
D.X射線能量低時(shí),產(chǎn)生的次級(jí)電子能量低射程短,介質(zhì)中某點(diǎn)的吸收劑量等于比釋動(dòng)能
E.當(dāng)韌致輻射的能量損失可以忽略時(shí),比釋動(dòng)能和吸收劑量數(shù)值上相等
A.碰撞比釋動(dòng)能和輻射比釋動(dòng)能
B.碰撞比釋動(dòng)能和愛減比釋動(dòng)能
C.輻射比釋動(dòng)能和衰減比釋動(dòng)能
D.衰減比釋動(dòng)能和質(zhì)能吸收比釋動(dòng)能
E.空氣比釋動(dòng)能和生物材料比釋動(dòng)能
A.15%
B.20%
C.25%
D.30%
E.35%
最新試題
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能,另一部分為特征X 射線能量。
關(guān)于組織補(bǔ)償?shù)拿枋觯e(cuò)誤的是()。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
射野中心軸上百分深度劑量值的大小直接反應(yīng)了射線質(zhì)(能量)的高低。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度,也代表了細(xì)胞對(duì)亞致死損傷的修復(fù)能力。
關(guān)于曼徹斯特系統(tǒng)的描述錯(cuò)誤的是()。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡稱分別為QA、QC。
對(duì)射野輸出劑量的檢測頻率,加速器高于鈷60機(jī)。