單項(xiàng)選擇題對(duì)能量位于200keV到2MeV的所有同位素特性的敘述，不正確的是（）

A.可應(yīng)用鐳療計(jì)量學(xué)體系
B.均為鐳的替代用品
C.半價(jià)層值隨著能量降低顯著減少
D.在5cm范圍內(nèi)，劑量分布幾倍遵守平方反比規(guī)律
E.劑量率常數(shù)隨著能量和組織結(jié)構(gòu)變化


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1.單項(xiàng)選擇題密封放射檢測(cè)源是否泄漏或被污染，通常使用的探測(cè)器是（）

A.指型電離室
B.半導(dǎo)體探測(cè)器
C.中子探測(cè)器
D.閃爍計(jì)數(shù)器
E.正比計(jì)數(shù)器

2.單項(xiàng)選擇題射野圖像比模擬定位圖像質(zhì)量差的原因（）

A.射線束能量高
B.射線束劑量率高
C.放射源尺寸大
D.曝光時(shí)間長(zhǎng)
E.照射距離長(zhǎng)

3.單項(xiàng)選擇題有關(guān)比釋動(dòng)能的描述，錯(cuò)誤的是（）

A.也稱(chēng)為Kerma
B.從間接電離輻射轉(zhuǎn)移到直接電離輻射的平均數(shù)量
C.不考慮能量轉(zhuǎn)移后的情況
D.沉積在單位質(zhì)量中的能量
E.適用于非直接電離輻射的一個(gè)非隨機(jī)量

4.單項(xiàng)選擇題巴黎系統(tǒng)標(biāo)稱(chēng)劑量率是基準(zhǔn)劑量率的（）

A.95%
B.90%
C.85%
D.80%
E.75%

5.單項(xiàng)選擇題總比釋動(dòng)能通常包括（）

A.絕對(duì)比釋動(dòng)能和相對(duì)比釋動(dòng)能
B.絕對(duì)比釋動(dòng)能和碰撞比釋動(dòng)能
C.絕對(duì)比釋動(dòng)能和輻射比釋動(dòng)能
D.絕對(duì)比釋動(dòng)能、相對(duì)比釋動(dòng)能、碰撞比釋動(dòng)能和輻射比釋動(dòng)能
E.碰撞比釋動(dòng)能和輻射比釋動(dòng)能