單項(xiàng)選擇題變電站直流系統(tǒng)處于正常狀態(tài),某220kV線路斷路器處于斷開(kāi)位置,控制回路正常帶電,利用萬(wàn)用表直流電壓檔測(cè)量該線路縱聯(lián)方向保護(hù)跳閘出口壓板上口的對(duì)地電位,正確的狀態(tài)應(yīng)該是()

A.壓板上口對(duì)地電壓為+110V左右
B.壓板上口對(duì)地電壓為-110V左右
C.壓板上口對(duì)地電壓為0V左右


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1.單項(xiàng)選擇題()存儲(chǔ)器芯片比較適合存放保護(hù)定值。

A.EPROM
B.RAM
C.EEPROM

2.單項(xiàng)選擇題自電壓互感器二次側(cè)的四根開(kāi)關(guān)場(chǎng)引入線(Ua、Ub、Uc、Un)和電壓互感器三次側(cè)的兩根開(kāi)關(guān)場(chǎng)引入線(開(kāi)口三角的UL、ULn)中的兩個(gè)零相電纜Un及ULn()。

A.必須分別引至控制室,并在控制室一點(diǎn)接地
B.在開(kāi)關(guān)場(chǎng)并接后,合成一根后引至控制室接地
C.三次側(cè)的ULn在開(kāi)關(guān)場(chǎng)接地后引入控制室接N600,二次側(cè)的Un單獨(dú)引入控制室并接地

4.單項(xiàng)選擇題為躲過(guò)勵(lì)磁涌流,變壓器差動(dòng)保護(hù)采用二次諧波制動(dòng),()。

A.二次諧波制動(dòng)比越大,躲過(guò)勵(lì)磁涌流的能力越強(qiáng)
B.二次諧波制動(dòng)比越大,躲過(guò)勵(lì)磁涌流的能力越弱
C.二次諧波制動(dòng)比越大,躲空投時(shí)不平衡電流的能力越強(qiáng)