A.RS功率設(shè)置過大導(dǎo)致吞吐率下降
B.BBU光模塊與RRU光模塊不匹配
C.下行UDP服務(wù)器出口流量不足,導(dǎo)致速率降低
D.ENB入口處流量不足,導(dǎo)致下行吞吐率低
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A.PCI模3干擾
B.PCI模6干擾
C.PCI模30干擾
D.PCI模50干擾
A.調(diào)整eNodeB發(fā)射功率
B.調(diào)整天線方位角和下傾角,增加天線掛高,更換高增益天線等
C.調(diào)整鄰區(qū)關(guān)系
D.檢查室分系統(tǒng)或直放站是否工作正常,排查是否有其它無線電干擾
A.上行弱覆蓋
B.下行弱覆蓋
C.越區(qū)覆蓋
D.切換失敗
A.9
B.6
C.15
D.3
A.需要建立SRB1承載
B.通過PUCCH傳輸
C.初始UE標(biāo)識(shí)可選擇隨機(jī)值
D.建立原因包括緊急呼叫
最新試題
在LTE/EPC核心網(wǎng)絡(luò)用戶附著成功后,MME給用戶分配的標(biāo)識(shí)符是什么(可以寫出英文縮寫)?它與SGSN分配的P-TMSI最主要的區(qū)別是什么?
簡述觸發(fā)LTE系統(tǒng)內(nèi)切換的主要事件及含義。
工程師在現(xiàn)場優(yōu)化時(shí)為控制覆蓋,對(duì)1個(gè)使用兩通道天線的小區(qū)進(jìn)行了降功率6db操作(調(diào)整powerscaling),達(dá)到了預(yù)期的目標(biāo),該小區(qū)兩個(gè)通道的PMAX均為10w,在sib2中收到的Referfencesignalpower為12dbm,pb=1;RRCconnctionsetup中收到的pa=0。請(qǐng)簡述這一操作的不良后果。
簡要說明TD-LTE特殊子幀的幀結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。
簡單說明CFI信息的含義?
簡述LTE跟蹤區(qū)邊界的規(guī)劃原則。
什么是PCI?
試比較TD-LTE升級(jí)和新建方案。
靜態(tài)配置2個(gè)MME間的S10接口,需要哪些步驟?如何檢測(cè)鏈路已通?
在MME上配置ENODEB,需要規(guī)劃并配置哪些數(shù)據(jù)?