A.十六
B.十
C.八
D.二
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A.機(jī)器系統(tǒng)
B.硬件系統(tǒng)
C.軟件系統(tǒng)
D.計(jì)算系統(tǒng)
A.技術(shù)套管
B.油層套管
C.表層套管
D.導(dǎo)管
A.技術(shù)套管
B.油層套管
C.表層套管
D.導(dǎo)管
A.導(dǎo)管
B.引管
C.油管
D.技術(shù)套管
A.水泥傘
B.水泥帽
C.水泥塞
D.水泥環(huán)
最新試題
常規(guī)測(cè)井評(píng)價(jià)復(fù)雜巖性儲(chǔ)層存在的難點(diǎn)有哪些?
水平井中氣水兩相流動(dòng)時(shí)的流型有哪些?
井壁微電阻率掃描成像儀器在均勻介質(zhì)中測(cè)量時(shí),發(fā)自極板體的電扣電流和推靠器中心支架棒上的聚焦電流構(gòu)成的電流線總是相似的,與介質(zhì)的電阻率()。
當(dāng)水體漸進(jìn)時(shí),沉積范圍逐漸擴(kuò)大,較新沉積層覆蓋了較老沉積層,并向陸地?cái)U(kuò)展,與更老的地層侵蝕面成不整合接觸,在柱狀剖面上,表現(xiàn)為下粗上細(xì)特征,這種現(xiàn)象稱為()。
泥漿濾液的侵入使孔隙流體發(fā)生了改變,當(dāng)濾液中含有順磁物質(zhì)時(shí)會(huì)()橫向弛豫時(shí)。
簡(jiǎn)述VSP 測(cè)井影響因素。
在()的概念中,沉積環(huán)境和沉積巖特征的辯證關(guān)系是:沉積環(huán)境是形成沉積巖特征的決定因素,沉積巖特征則是沉積環(huán)境的物質(zhì)表現(xiàn)。
微電阻率成像三井徑曲線變化正常,除橢圓井眼外,在井眼規(guī)則處應(yīng)()。
在薄互層中,泥漿侵入對(duì)井壁微電阻率掃描成像測(cè)量響應(yīng)的影響較之厚層()。
核磁共振弛豫包括()。