單項選擇題7系列EPROM存儲的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
A.不
B.電
C.紫外線
D.融斷器
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1.單項選擇題用1M×4的DRAM芯片通過（）擴展可以獲得4M×8的存儲器。
A.位
B.字
C.復合
D.位或字
2.單項選擇題小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字數(shù)與外部地址線數(shù)n的關系一般為（）
A.2n
B.22n
C.＞22n
D.＜2n
3.單項選擇題如要將一個最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，要求輸入每變化20mV，輸出信號的最低位（LSB）發(fā)生變化，應選用（）位ADC。
A.6
B.8
C.10
D.12
4.單項選擇題與倒T形電阻網(wǎng)絡DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點是消除了（）對轉(zhuǎn)換精度的影響。
A.網(wǎng)絡電阻精度
B.模擬開關導通電阻
C.電流建立時間
D.加法器
最新試題
用原碼輸出的譯碼器實現(xiàn)多輸出邏輯函數(shù)，需要增加若干個（）。
題型：單項選擇題
根據(jù)什么判斷簡單電路中的險象存在？
題型：問答題
用1M×4的DRAM芯片通過（）擴展可以獲得4M×8的存儲器。
題型：單項選擇題
若停電數(shù)分鐘后恢復供電，（）中的信息能夠保持不變。
題型：單項選擇題
DRAM4164有2根片選線（RAS和CAS）、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲容量為多少？
題型：問答題
ROM可以用來存儲程序、表格和大量固定數(shù)據(jù)，但它不可以用來實現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字數(shù)與外部地址線數(shù)n的關系一般為（）
題型：單項選擇題
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
題型：單項選擇題
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài)，所以它不能被稱為（）觸發(fā)器。
題型：單項選擇題
如要將一個最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，要求輸入每變化20mV，輸出信號的最低位（LSB）發(fā)生變化，應選用（）位ADC。
題型：單項選擇題