A.磁化曲線表示磁場(chǎng)強(qiáng)度H與磁感應(yīng)強(qiáng)度B的關(guān)系
B.經(jīng)過(guò)一次磁化后,把磁場(chǎng)強(qiáng)度降為零時(shí)的磁通密度稱為飽和磁通密度
C.在鐵磁材料中,磁場(chǎng)強(qiáng)度通常與磁通密度成正比
D.經(jīng)過(guò)一次磁化后,把磁場(chǎng)強(qiáng)度降為零時(shí)的磁通密度稱為矯頑力
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A.在連續(xù)法中用來(lái)描敘磁化力
B.在一塊材料中為去掉剩磁所需的反向磁化力
C.以上都對(duì)
A.突變點(diǎn)
B.飽和點(diǎn)
C.剩磁點(diǎn)
A.磁力線彼此不相交
B.磁極處磁力線最稠密
C.具有最短路徑,是封閉的環(huán)
D.以上三點(diǎn)都是
A.可分開
B.不可分開
C.以上都不是
A.磁滯回線
B.磁化曲線
C.起始磁化曲線
最新試題
有一不等徑軸,如圖。要檢查縱向缺陷,應(yīng)如何檢查并確定磁化電流值(選用高靈敏度)?
標(biāo)準(zhǔn)試塊主要用于檢驗(yàn)磁粉探傷靈敏度,考察被檢工件表面的磁場(chǎng)方向。
MRI 法與MT—RC 法相比其對(duì)比度大,靈敏度較高,工藝較易控制,可靠性高。
以下關(guān)于交變電流趨膚效應(yīng)的敘述,錯(cuò)誤的是()。
整流電流中包含的交流分量愈大,檢測(cè)近表面缺陷的能力愈小。
以下關(guān)于試件達(dá)到磁飽和所需要磁場(chǎng)強(qiáng)度的敘述,錯(cuò)誤的是()。
利用磁敏元件探測(cè)工件表面漏磁場(chǎng)時(shí),探測(cè)的靈敏度與檢查速度及工件大小無(wú)關(guān)。
圓形導(dǎo)體半徑為100mm,通以1500安培直流電,求距導(dǎo)體中心軸線相距40mm,80mm,100mm,150mm,200mm,300mm,500mm各點(diǎn)磁場(chǎng)強(qiáng)度各是多少安/米?并用圖示法表示出磁場(chǎng)強(qiáng)度變化曲線。
以下磁痕顯示中,屬于相關(guān)顯示的是()。
熒光磁粉探傷過(guò)程中,當(dāng)不觀察磁痕時(shí)應(yīng)隨時(shí)關(guān)閉黑光燈,這樣可延長(zhǎng)黑光燈使用壽命,并可避免誤照人眼。