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問答題將R6寄存器的內(nèi)容取反，送到內(nèi)部RAM 20H單元。試編寫程序。

1.問答題使外部RAM 2100H單元內(nèi)容的高兩位清“0”，其余位變反。試編寫程序。

2.問答題將內(nèi)部RAM 30H單元的內(nèi)容求補后，送回30H單元。試編寫程序。

3.問答題從P1口引腳讀入數(shù)據(jù)，并將該數(shù)據(jù)寫入外部RAM 2100H單元。試編寫程序。

4.問答題編制中斷服務(wù)程序時，為什么在主程序的初始化程序中，必須設(shè)置SETB EA這條指令，以及在中斷服務(wù)程序中為什么通常需要保護現(xiàn)場和恢復(fù)現(xiàn)場？

5.問答題 已知一MCS51單片機系統(tǒng)使用12MHZ的外部晶體振蕩器，計算：
1）該單片機系統(tǒng)的狀態(tài)周期與機器周期各為多少？
2）當(dāng)單片機的定時器0（T0）工作在方式2時，T0的最大定時時間為多少？