A.附著成功率=成功完成附著與缺省EPS承載建立次數(shù)/開(kāi)機(jī)總次數(shù)
B.附著成功率=成功完成附著次數(shù)/開(kāi)機(jī)總次數(shù)
C.附著成功率=成功完成附著次數(shù)/附著請(qǐng)求總次數(shù)
D.附著成功率=成功完成附著與缺省EPS承載建立次數(shù)/附著請(qǐng)求總次數(shù)
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A.應(yīng)用層速率
B.PDCP層速率
C.MAC層速率
D.物理層速率
A.S-GW
B.E-NodeB
C.MME
D.EPC
A.服務(wù)小區(qū)質(zhì)量高于門(mén)限
B.服務(wù)小區(qū)質(zhì)量低于門(mén)限
C.鄰接異RAT小區(qū)質(zhì)量高于門(mén)限
D.鄰接異RAT小區(qū)質(zhì)量低于門(mén)限
A.SIB1
B.SIB2
C.SIB3
D.SIB4
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ICIC(小區(qū)間干擾協(xié)調(diào))技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)()
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根據(jù)國(guó)家電磁輻射標(biāo)準(zhǔn),天線口輸出的總功率功率不超過(guò)()dBm。
PHICH符號(hào)個(gè)數(shù)是由什么獲得()
TD-LTE系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)隨機(jī)接入過(guò)程應(yīng)用場(chǎng)景包括()。
收到Msg1消息后,eNodeB通過(guò)()確定隨機(jī)接入臨時(shí)標(biāo)識(shí)
MME的APN配置用于()和()的對(duì)應(yīng)關(guān)系
發(fā)現(xiàn)小區(qū)受到干擾的途徑有()
下列關(guān)于TD-LTEE頻段室分系統(tǒng)說(shuō)法正確的是()
哪些屬于TD-LTE室內(nèi)分布單站優(yōu)化范疇()