A.1cm
B.2cm
C.5cm
D.10cm
E.100cm
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A.5KeV
B.10KeV
C.12KeV
D.15KeV
E.20KeV
A.高能X(γ)射線入射到人體或模體時(shí),在體表或皮下產(chǎn)生高能次級(jí)電子
B.雖然所產(chǎn)生的高能次級(jí)電子射程較短,但仍需穿過一定深度直至能量耗盡后停止
C.在最大電子射程內(nèi)高能次級(jí)電子產(chǎn)生的吸收劑量隨組織深度增加而增加
D.高能X(γ)射線隨組織深度增加,產(chǎn)生的高能次級(jí)電子減少
E.劑量建成區(qū)的形成實(shí)際是帶電粒子能量沉積過程
A.2~6MeV
B.6~10MeV
C.10~15MeV
D.15~20MeV
E.4~22MeV
A.物理手段不能夠有效地提高治療增益
B.物理手段能夠改善靶區(qū)與周圍正常組織和器官的劑量分布
C.使治療區(qū)的形狀與靶區(qū)形狀一致,必須從兩維方向上進(jìn)行劑量分布的控制
D.“并行”組織的耐受劑量的大小不取決于受照射組織的范圍
E.腫瘤致死劑量與正常組織耐受劑量無差異
A.組織填充物
B.組織補(bǔ)償器
C.楔形板
D.射野擋塊
E.濾過板
最新試題
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能,另一部分為特征X 射線能量。
LET=()Kev/μm 是高低LET 射線的分界線。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
目前靶區(qū)劑量的精確性規(guī)定應(yīng)達(dá)到()。
對加速器射野的對稱性和平坦度的檢查應(yīng)每月兩次。
百分深度劑量受照射野面積的影響。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。
實(shí)際患者治療時(shí),無環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。
對重離子,線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
伽瑪?shù)栋悬c(diǎn)位置精度高于X射線立體定向治療系統(tǒng)的精度。