A.反符合技術(shù)可以用于甄別康普頓事件
B.反散射峰與特征X射線峰來自于環(huán)境
C.全能峰就是光電峰
D.單逃逸峰的能量大于雙逃逸峰
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A.符合測量對真偶符合比沒有要求
B.為保證高的真偶符合比，電子學(xué)分辨時間小一些好
C.真偶符合比必定是大于1的
D.其他條件不變，源的活度越大則真偶符合比越大
A.偶然符合在低計數(shù)率情況下更常見
B.偶然符合的事件同時發(fā)生且相關(guān)
C.偶然的情況下同時到達(dá)符合電路的非關(guān)聯(lián)事件引起的符合
D.不相關(guān)的事件都可以認(rèn)為屬于偶然符合
A.符合曲線是指延遲關(guān)系變化時，符合計數(shù)率的變化曲線
B.信號的時間離散對符合曲線有影響
C.理想的電子學(xué)瞬時符合曲線是矩形的
D.符合分快符合與慢符合，快符合的符合曲線寬度主要由電子學(xué)分辨時間決定
A.延遲符合改變了相關(guān)事件發(fā)生的物理過程
B.延遲符合的順利實(shí)現(xiàn)需要對相關(guān)事件的物理過程有深入了解
C.延遲符合功能可以通過電子學(xué)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的
D.相關(guān)事件不同時時，一般可以考慮利用延遲符合技術(shù)
A.反符合電路利用“或”門來實(shí)現(xiàn)
B.反符合中的兩個事件必須是完全無關(guān)的
C.反符合的功能可以利用多個探測器實(shí)現(xiàn)
D.反符合與符合在電路設(shè)計、探測器信號連接上都完全不同
最新試題
下列對中子與原子核的反應(yīng)截面的描述不正確的是（）。
下列關(guān)于反應(yīng)堆中子源的描述錯誤的是（）。
關(guān)于24Na-9Be中子源的描述不正確的是（）。
下列對于常用的中子探測器的描述不正確的是（）。
測量能量10keV的γ射線，觀察到了在20keV處有一個明顯的峰，對于這些計數(shù)的分析正確的是（）。
關(guān)于加速器中子源，描述錯誤的是（）。
下列關(guān)于同位素源的特點(diǎn)的描述不正確的是（）。
下列哪項不是中子探測的特點(diǎn)？（）
關(guān)于符合的描述，下列說法正確的是（）。
軔致輻射對γ能譜的影響，描述錯誤的是（）。