單項(xiàng)選擇題典型金氧半晶體管（MOSFET）的閘極輸入端電阻值約為多少奧姆？（）
A.108
B.109
C.1010
D.1014
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1.單項(xiàng)選擇題輸入電阻最高的放大器是（）
A.MOSFET源極隨耦器
B.射極耦合器
C.達(dá)靈頓射極耦合器
D.晶體管靴帶式放大器
2.單項(xiàng)選擇題2SK19為（）
A.BJT
B.JFET
C.SCR
D.UJT
3.單項(xiàng)選擇題下列何種裝置有熱跑脫現(xiàn)象？（）
A.N通道FET
B.P通道FET
C.雙極性晶體管
D.單極性晶體管
4.單項(xiàng)選擇題晶體管交換電路的速率，主要是由什么極的儲(chǔ)藏次載子放電速率來(lái)決定？（）
A.集極與射極
B.基極
C.射極
D.集極
5.單項(xiàng)選擇題
如圖中，假設(shè)二極管為理想，須向?qū)妷簽?，則輸出Vo之平均電壓Vdc約為（）
A.3.18V
B.5V
C.6.28V
D.7.07V
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TTL反相器的主要特點(diǎn)是什么？（）
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