判斷題當MOS管處在飽和工作區(qū)時，導電溝道相當于一個零電阻的導體。
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半導體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型：判斷題
晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。
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MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
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半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
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晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。
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雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。
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第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
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理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型：判斷題
p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
題型：判斷題