最新試題
解釋離子束擴展和空間電荷中和。
解釋鋁已經(jīng)被選擇作為微芯片互連金屬的原因。
例舉離子注入工藝和擴散工藝相比的優(yōu)點和缺點。
例舉并討論引入銅金屬化的五大優(yōu)點。
例出光刻的8個步驟，并對每一步做出簡要解釋。
離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？
解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機理和物理機理。
解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？
在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？
定義刻蝕速率并描述它的計算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？
