單項(xiàng)選擇題RC電路中，R=100KΩ，C=50mF，充電后Vm=8V，當(dāng)放電至第3~5秒時(shí)，電容器兩端的電壓約為（）
A.4V
B.5V
C.6V
D.8V
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1.單項(xiàng)選擇題RC電路的充放電過(guò)程中，電容器兩端的電壓（）
A.不能跳變
B.可以跳變
C.充電時(shí)間按指數(shù)規(guī)律減小
D.充電時(shí)間按正比例規(guī)律增加
最新試題
?CG放大器的性能描述合理的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
可以通過(guò)新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
?在verilogHDL的數(shù)字表達(dá)方式用，和十進(jìn)制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達(dá)方式有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
?TTL或非門組成的邏輯電路如圖所示，當(dāng)輸入為以下哪種狀態(tài)時(shí)會(huì)出現(xiàn)冒險(xiǎn)現(xiàn)象？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CG放大器具有較（）的輸入電阻和較（）的輸出電阻。?
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時(shí)，溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
題型：判斷題
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
?電路如圖所示，如果電容C2開(kāi)路，則MOSFET的漏極直流電壓將會(huì)（），漏極交流電壓將會(huì)（），增益將會(huì)（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
?5.1K±5%歐姆的五環(huán)電阻的色環(huán)序列為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合，則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時(shí)，柵極直流電壓將會(huì)（），漏極直流電流將會(huì)（），輸入電阻將會(huì)（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題