已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。
A.狀態(tài)1:飽和區(qū);狀態(tài)2:飽和區(qū)
B.狀態(tài)1:截止區(qū);狀態(tài)2:飽和區(qū)
C.狀態(tài)3:變阻區(qū);狀態(tài)4:飽和區(qū)
D.狀態(tài)3:飽和區(qū);狀態(tài)4:變阻區(qū)
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A.1,100
B.0.5,50
C.1,50
D.2,100
電路如圖所示,要使得晶體管工作在飽和區(qū),且有ID=0.4mA,VD=0.5V;已知該NMOS晶體管的Vt=0.7V,L=1μm,W=32μm,k′n=100μA/V2,忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng),則電阻RS=()kΩ,RD=()kΩ。
A.5,3.25
B.4,6
C.3,7
D.3.25,5
A.最高,最高
B.最高,最低
C.最低,最高
D.最低,最低
A.1
B.2
C.3
D.4
A.〉,〈
B.〉,〉
C.〈,〈
D.〈,〉
最新試題
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū),若uDS繼續(xù)增大時(shí),溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
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