單項選擇題
電路如圖所示,要使得晶體管工作在飽和區(qū),且有ID=0.4mA,VD=0.5V;已知該NMOS晶體管的Vt=0.7V,L=1μm,W=32μm,k′n=100μA/V2,忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng),則電阻RS=()kΩ,RD=()kΩ。
A.5,3.25
B.4,6
C.3,7
D.3.25,5
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1.單項選擇題?在CMOS集成電路設(shè)計中,NMOS的襯底應(yīng)接在電路的()電位,PMOS的襯底應(yīng)接在電路的()電位。
A.最高,最高
B.最高,最低
C.最低,最高
D.最低,最低
2.單項選擇題?某放大電路在負載開路時,測得輸出電壓為5V,在輸入電壓不變的情況下接入3kΩ的負載電阻,輸出電壓下降到3V,說明該放大電路的輸出電阻為()kΩ。?
A.1
B.2
C.3
D.4
3.單項選擇題NEMOSFET飽和區(qū)的工作條件為uGS()Vt,uDS()uGS-Vt。
A.〉,〈
B.〉,〉
C.〈,〈
D.〈,〉
4.單項選擇題?MOSFET中的導(dǎo)電溝道是指其()?
A.金屬層
B.耗盡層
C.反型層
D.氧化層
最新試題
?MOSFET源極漏極間的長度L越大,溝道長度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
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