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A.NEMOSFET
B.NDMOSFET
C.PEMOSFET
D.PDMOSFET
A.該放大器為互導放大器
B.該放大器為互阻放大器
C.理想情況下該放大器輸入電阻極高
D.理想情況下該放大器輸入電阻極低
E.理想情況下該放大器輸出電阻極高
F.理想情況下該放大器輸出電阻極低
已知某N溝道增強型MOS場效應管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
A.狀態(tài)1：飽和區(qū)；狀態(tài)2：飽和區(qū)
B.狀態(tài)1：截止區(qū)；狀態(tài)2：飽和區(qū)
C.狀態(tài)3：變阻區(qū)；狀態(tài)4：飽和區(qū)
D.狀態(tài)3：飽和區(qū)；狀態(tài)4：變阻區(qū)
最新試題
可以通過新增以下哪些類型文件添加ChipScope調試IP核？（）
?TTL或非門組成的邏輯電路如圖所示，當輸入為以下哪種狀態(tài)時會出現(xiàn)冒險現(xiàn)象？（）
以下哪個MOS放大器組態(tài)結構最適合用在電壓信號處理系統(tǒng)的最后一級？?（）
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?在使用verilog描述一個二選一的數(shù)據(jù)選擇器時，使用一條語句來進行描述assign out1=（sel &b）∣（~sel &a），這條語句對應的是（）。
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