問答題BiCMOS工藝技術(shù)常分為哪兩類？它們各有什么特點(diǎn)？
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規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？
題型：問答題
什么是MOS器件的體效應(yīng)？
題型：問答題
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。
題型：多項(xiàng)選擇題
MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
題型：多項(xiàng)選擇題
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
題型：問答題
根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型：問答題
MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？
題型：問答題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：問答題
設(shè)計(jì)一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型：問答題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？
題型：問答題