多項選擇題MOS場效應(yīng)管(MOSFET)在20世紀70年代得到了廣泛的接受,從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
A.nMOS(n溝道)
B.pMOS(p溝道)
C.mMOS(m溝道)
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1.單項選擇題由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容,這種電容稱為()。
A.寄生電容
B.共生電容
C.儲存電容
2.多項選擇題集成電路電阻可以通過()產(chǎn)生。
A.金屬膜
B.摻雜的多晶硅
C.通過雜質(zhì)擴散到襯底的特定區(qū)域中
3.多項選擇題半導體工藝技術(shù)中,器件互連材料通常包括()等。
A.金屬
B.合金
C.多晶硅
D.金屬硅化物
4.多項選擇題硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的()材料等。
A.SiO2
B.SiON
C.Si3N4
5.多項選擇題材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類()。
A.導體
B.絕緣體
C.半導體
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晶體管的名字取自于()和()兩詞。
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版圖設(shè)計的基本前提是什么?
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BiCMOS技術(shù)就是將()和()的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。
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在晶體材料中,對于長程有序的原子模式最基本的實體就是()。
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目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些?
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