問答題
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
最新試題
什么是MOS器件的體效應(yīng)？
題型：問答題
在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。
題型：單項選擇題
半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。
題型：多項選擇題
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。
題型：多項選擇題
根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型：問答題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
題型：問答題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：問答題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？
題型：問答題
編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？
題型：問答題
MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？
題型：問答題