最新試題
BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。
題型：多項(xiàng)選擇題
什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。
題型：問答題
晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。
題型：多項(xiàng)選擇題
編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？
題型：問答題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：問答題
根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型：問答題
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
題型：問答題
版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？
題型：問答題
MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？
題型：問答題
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
題型：問答題