單項(xiàng)選擇題在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。
A.晶胞
B.晶長
C.晶塊
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1.多項(xiàng)選擇題從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。
A.碳加熱
B.生產(chǎn)三氯硅烷
C.西門子反應(yīng)
2.多項(xiàng)選擇題BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。
A.CMOS
B.雙極技術(shù)
C.nMOS
3.多項(xiàng)選擇題MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
A.nMOS（n溝道）
B.pMOS（p溝道）
C.mMOS（m溝道）
4.單項(xiàng)選擇題由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。
A.寄生電容
B.共生電容
C.儲存電容
5.多項(xiàng)選擇題集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。
A.金屬膜
B.摻雜的多晶硅
C.通過雜質(zhì)擴(kuò)散到襯底的特定區(qū)域中
最新試題
由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？
題型：問答題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：問答題
什么是MOS器件的體效應(yīng)？
題型：問答題
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
題型：問答題
在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型：問答題
把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？
題型：問答題
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。
題型：多項(xiàng)選擇題