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單項(xiàng)選擇題把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

A.晶體生長、硅錠
B.硅錠、晶體生長
C.晶體生長、晶胞

1.單項(xiàng)選擇題在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

A.晶胞
B.晶長
C.晶塊

2.多項(xiàng)選擇題從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

A.碳加熱
B.生產(chǎn)三氯硅烷
C.西門子反應(yīng)

3.多項(xiàng)選擇題BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

A.CMOS
B.雙極技術(shù)
C.nMOS

4.多項(xiàng)選擇題MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

A.nMOS（n溝道）
B.pMOS（p溝道）
C.mMOS（m溝道）

5.單項(xiàng)選擇題由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

A.寄生電容
B.共生電容
C.儲存電容