問(wèn)答題光刻中采用步進(jìn)掃描技術(shù)獲得了什么好處?
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2.問(wèn)答題例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。
3.問(wèn)答題描述曝光波長(zhǎng)和圖像分辨率之間的關(guān)系。
4.問(wèn)答題例舉并描出旋轉(zhuǎn)涂膠的4個(gè)基本步驟。
5.問(wèn)答題在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么?
最新試題
晶體管的全部應(yīng)用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
題型:填空題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
題型:填空題
絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型:判斷題
MOS管可以分為4類(lèi)型,其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型:判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓,即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。
題型:判斷題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。
題型:判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
題型:判斷題