A.降低
B.升高
C.保持不變
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A.小于0.1mm
B.0.5~2.0mm
C.大于2.0mm
A.熱阻
B.阻抗
C.結(jié)構(gòu)參數(shù)
A.基區(qū)寬度
B.外延層厚度
C.表面界面狀態(tài)
A.正偏電流
B.反偏電壓
C.結(jié)溫
A.越不容易受
B.越容易受
C.基本不受
最新試題
粘封工藝中,常用的材料有哪幾類(lèi)?
禁帶寬度的大小決定著電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶的難易,一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬,所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子()外界因素(如高溫和輻射等)的干擾而產(chǎn)生變化。
超聲熱壓焊的主要應(yīng)用對(duì)象是超小型鍍金外殼與鍍金管帽的焊接,焊接處依靠()封接,因而外殼零件的平整度和鍍金層厚度是實(shí)現(xiàn)可靠性封接的關(guān)鍵因素。
半導(dǎo)體分立器件、集成電路對(duì)外殼的主要要求之一是:良好的熱性能。外殼應(yīng)有小的(),使芯片的熱量有效地散逸出去,保證器件在正常結(jié)溫下工作。
延生長(zhǎng)方法比較多,其中主要的有()外延、()外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延、()外延、原子束外延、固相外延等。
恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱(chēng)為()分布。
在低溫玻璃密封工藝中,常用的運(yùn)載劑由2%(質(zhì)量比)的硝化纖維素溶解于98%(質(zhì)量比)的醋酸異戊酯或松油醇中制得,再將20%的運(yùn)載劑與()的玻璃料均勻混合,配成印刷漿料。
什么叫晶體缺陷?
典型的GaAsMESFET結(jié)構(gòu)IC的工藝流程?
半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類(lèi)。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為()半導(dǎo)體、()半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類(lèi)。