單項選擇題離子注入層的深度主要取決于離子注入的（）。
A.能量
B.劑量
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1.多項選擇題硅外延片的應用包括（）。
A.二極管和三極管
B.電力電子器件
C.大規(guī)模集成電路
D.超大規(guī)模集成電路
2.多項選擇題硅外延生長工藝包括（）。
A.襯底制備
B.原位HCl腐蝕
C.生長溫度，生長壓力，生長速度
D.尾氣的處理
3.單項選擇題位錯的形成原因是（）。
A.位錯就是由彈性形變造成的
B.位錯就是由重力造成的
C.位錯就是由范性形變造成的
D.以上答案都不對
4.單項選擇題下列晶體管結(jié)構(gòu)中，在晶體管輸出電流很大時常使用的是：（）
A、單基極條圖形
B、雙基極條圖形
C、基極和集電極引線孔都是馬蹄形結(jié)構(gòu)
D、梳狀結(jié)構(gòu)
5.單項選擇題腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用（）
A、鹽酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氫氟酸
最新試題
光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）
題型：判斷題
厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復原狀。（）
題型：判斷題
單晶是原子或離子沿著三個不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學取向所堆垛起來的遠程有序的晶體。（）
題型：判斷題
片狀源擴散具有設備簡單，操作方便，晶片缺陷少，均勻性、重復性和表面質(zhì)量都較好，適于批量生產(chǎn)，應用越來越普遍。（）
題型：判斷題
目前在半自動化和自動化的鍵合機上用的金絲或硅鋁絲都是經(jīng)生產(chǎn)廠家嚴格處理包裝后銷售，一般不能再退火，一經(jīng)退火反而壞了性能。（）
題型：判斷題
場效應晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。（）
題型：判斷題
厚膜漿料屬于牛頓流體，因此其粘度屬于正常黏度。（）
題型：判斷題
可靠性篩選可以剔除早期失效的產(chǎn)品。（）
題型：判斷題
金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜，帶膠蒸發(fā)或濺射所需的金屬，然后在去除光致抗蝕劑膜的同時，把膠膜上的金屬一起去除干凈。（）
題型：判斷題
在半導體中摻金是為了使非平衡載流子的壽命增加。（）
題型：判斷題