A.lo是入射線強(qiáng)度,L是透射射線強(qiáng)度
B.lo是入射光強(qiáng)度,L是透射光強(qiáng)度
C.lo是透射射線強(qiáng)度,L是入射線強(qiáng)度
D.lo是透射光強(qiáng)度,L是入射光強(qiáng)度
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A.對(duì)比度
B.清晰度
C.感光度
D.以上都不是
A.中子射線照相
B.射線CT技術(shù)
C.康普頓背散射成像技術(shù)
D.A、B和C
A.金屬表面的腐蝕裂紋
B.原子序數(shù)低、厚度小物體的層析射線照相
C.厚度很大物體的表面層內(nèi)部缺陷
D.A、B和C
A.距離
B.連線
C.直線斜率
D.以上都不是
A.不大于曝光曲線推薦的最小值
B.不小于曝光曲線推薦的最小值
C.不小于曝光曲線推薦的最大值
D.以上都不是
最新試題
單晶體金屬特點(diǎn)有()。
滲透檢測工藝對(duì)顯像操作的要求有()。
超聲波檢測發(fā)現(xiàn)缺陷,在不同的方向上檢測,缺陷回波呈現(xiàn)此起比伏互相彼連的狀態(tài),判定為()。
常規(guī)的縱波聲場或橫波聲場,聲速是以一定的角度擴(kuò)散出去的,所以有()。
對(duì)漏磁檢測原理描述正確的有()。
將彎曲液面對(duì)液體的壓強(qiáng)與平面液面對(duì)液體的壓強(qiáng)相比,任何液面膜對(duì)液體施以附加壓強(qiáng),下面描述正確的是()。
采用橫波斜探頭在圓柱曲面外圓進(jìn)行周向檢測時(shí),缺陷定位說法正確的有()。
非熒光磁粉檢測時(shí),可見光照度不小于1000lx,并應(yīng)避免()。
大厚度比試件透照特殊技術(shù)中的補(bǔ)償技術(shù)是指利用()填補(bǔ)工件的較薄部分,使透照厚度差減小的方法。
關(guān)于相似相溶經(jīng)驗(yàn)法則的說法正確的有()。