單項(xiàng)選擇題單晶硅電池的制造工藝主要流程為()

A.表面處理→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作電極→制作減反射膜
B.表面處理→擴(kuò)散制結(jié)→制作絨面→制作減反射膜→制作電極
C.表面處理→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作減反射膜→制作電極
D.表面處理→制作減反射膜→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作電極


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1.單項(xiàng)選擇題以下有關(guān)晶硅太陽(yáng)能電池的溫度和光照特性說(shuō)法錯(cuò)誤的是()

A.隨著溫度的升高,短路電流密度升高,開(kāi)路電壓下降,但光電轉(zhuǎn)換效率下降。
B.溫度對(duì)開(kāi)路電壓的影響明顯大于對(duì)短路電流的影響。
C.光照強(qiáng)度對(duì)短路電流的影響明顯大于對(duì)開(kāi)路電壓的影響。
D.與晶硅太陽(yáng)能電池相比,GaAs太陽(yáng)能電池的禁帶寬度較大,所以晶硅太陽(yáng)能電池具有更好的溫度特性。

2.單項(xiàng)選擇題關(guān)于反向飽和電流密度,以下說(shuō)法中錯(cuò)誤的是()

A.p-n結(jié)兩邊摻雜濃度相差較大時(shí),反向飽和電流密度主要由摻雜濃度較低的一側(cè)貢獻(xiàn)。
B.在一定溫度下,與Si材料相比,GaAs具有較小的有效態(tài)密度和較大的禁帶寬度,所以GaAs可獲得更低的反向飽和電流密度。
C.p-n結(jié)兩邊摻雜濃度越高,越有利于降低反向飽和電流密度。
D.與半導(dǎo)體中的載流子壽命、擴(kuò)散長(zhǎng)度、導(dǎo)帶價(jià)帶的有效態(tài)密度、摻雜濃度以及禁帶寬度有關(guān)。賦予他們恰當(dāng)值可以得到較大的VOC。

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光伏系統(tǒng)在沒(méi)有任何外來(lái)能源的情況下負(fù)載仍能正常工作的天數(shù)稱(chēng)為()

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在太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)中,為了延長(zhǎng)蓄電池的壽命,利用()對(duì)蓄電池過(guò)放電、過(guò)充電、深度充電、負(fù)載過(guò)流和反充電等情況加以限制。

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下列對(duì)集中式光伏電站描述不正確的是()

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通常在建筑物之上建設(shè)()

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三相逆變器按照直流電源的性質(zhì)不同分為三相電壓型逆變器和三相電流型逆變器。

題型:判斷題