單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中抗折強度精確至（），抗壓強度精確至（）。
A、0.1MPa，0.01MPa
B、0.01MPa，0.1MPa
C、0.01MPa，0.01MPa
D、0.1MPa，0.1MPa
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1.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中做抗折強度試驗時，應以（）N/s的速度均勻加荷直至試件斷裂。
A、50
B、150
C、50或150
D、50～150
2.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中抗折強度試驗的抗折夾具下支輥的跨距為磚規(guī)格長度減去（），但規(guī)格長度為190mm的磚，其跨距為（）。
A、40mm170mm
B、40mm160mm
C、30mm170mm
D、30mm160mm
3.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中抗折強度試驗的磚樣應進行處理，處理方式為將非燒結(jié)磚放入（）的水中浸泡（）后取出，用濕布拭去其表面水分，再進行抗折試驗。
A、（20±5）℃48h
B、（20±5）℃24h
C、（20±10）℃48h
D、（20±10）℃24h
4.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中抗折強度試驗的抗折夾具的上壓輥和下支輥的曲率半徑為（），下支輥應有一個為鉸接固定。
A、10mm
B、15mm
C、20mm
D、25mm
5.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中抗折強度試驗的材料試驗機預期最大破壞荷載應在量程的（）之間。
A、10%～80%
B、20%～80%
C、10%～90%
D、20%～90%
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對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
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下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題