多項選擇題慢凍法砼抗凍試驗凍融試驗箱的溫控要求,正確的有()。
A、冷凍期間箱內(nèi)溫度應(yīng)能保證在(-20~-18)℃范圍
B、融化期間箱內(nèi)浸泡砼試件的水溫應(yīng)能保證在(18~20)℃范圍
C、滿載時箱內(nèi)各點溫度極差不應(yīng)超過2℃
D、滿載時箱內(nèi)各點溫度極差不應(yīng)超過5℃
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1.多項選擇題快凍法砼抗凍試驗試件的形狀,不正確的有()。
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
2.多項選擇題慢凍法砼抗凍試驗試件的形狀,不正確的有()。
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
3.多項選擇題快凍法砼抗凍試驗試件的凍融介質(zhì),不正確的有()。
A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
4.多項選擇題慢凍法砼抗凍試驗試件的凍融介質(zhì),不正確的有()。
A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
5.多項選擇題《普通砼長期性能和耐久性能試驗方法標(biāo)準(zhǔn)》GB/T50082-2009標(biāo)準(zhǔn)抗凍試驗的試驗方法有()。
A、單面凍融法
B、慢凍法
C、雙面凍融法
D、快凍法
最新試題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項選擇題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
題型:單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:單項選擇題