單項選擇題在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
A.光電效應(yīng)
B.光生伏特效應(yīng)
C.內(nèi)光電效應(yīng)
D.外光電效應(yīng)
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1.單項選擇題硅片拋光在原理上不可分為()
A.機械拋光法
B.化學(xué)拋光法
C.手工拋光法
D.機械--化學(xué)拋光法
2.單項選擇題可用作硅片的研磨材料是()
A.AL2O3
B.MGO
C.BA2O3
D.NACL
3.單項選擇題熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
A.球狀沉淀
B.片狀沉淀
C.棒狀沉淀
D.多面體沉淀
4.單項選擇題CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
A.加料--熔化--縮頸生長--等徑生長--放肩生長--收尾
B.加料--熔化--縮頸生長--放肩生長--等徑生長--收尾
C.加料--熔化--等徑生長-放肩生長--縮頸生長--收尾
D.加料--熔化--等徑生長長--縮頸生長--放肩生長--收尾
5.單項選擇題懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
A.不需要坩堝
B.避免了容器污染
C.更易獲得高純度硅
D.成本低
最新試題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
題型:單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
題型:單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
題型:單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項選擇題