多項選擇題鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
A.鈍化晶界
B.鈍化錯位
C.鈍化電活性雜質(zhì)
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1.單項選擇題鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
A.頭尾料和鍋底料中含有的氧
B.晶體生長過程中硅熔體與石英坩堝作用引入的氧
C.石墨加熱器與坩堝反應(yīng)引入的氧
D.外界空氣的進入
2.單項選擇題制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
A.氧及其相關(guān)缺陷
B.參雜濃度
C.以間隙鐵為主的過渡族金屬雜質(zhì)
D.材料中的缺陷密度及其分布
3.單項選擇題改良西門子法的顯著特點不包括()
A.高能耗
B.成本低
C.產(chǎn)量高
D.質(zhì)量穩(wěn)定
4.單項選擇題多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
A、1234
B、123
C、2457
D、4567
5.單項選擇題直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
A、6
B、2
C、4
D、5
最新試題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型:單項選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
題型:單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括()
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題