單項(xiàng)選擇題下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

A.（100）
B.（001）
C.（111）
D.（110）


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1.單項(xiàng)選擇題PN結(jié)的基本特性是（）

A.單向?qū)щ娦?br /> B.半導(dǎo)性
C.電流放大性
D.絕緣性

3.單項(xiàng)選擇題在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）

A.光電效應(yīng)
B.光生伏特效應(yīng)
C.內(nèi)光電效應(yīng)
D.外光電效應(yīng)

4.單項(xiàng)選擇題硅片拋光在原理上不可分為（）

A.機(jī)械拋光法
B.化學(xué)拋光法
C.手工拋光法
D.機(jī)械--化學(xué)拋光法

5.單項(xiàng)選擇題可用作硅片的研磨材料是（）

A.AL2O3
B.MGO
C.BA2O3
D.NACL

最新試題

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列是晶體的是（）。 

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題