A、冷凍結束后,應即加入溫度為(18~20)℃的水,加水時間不應超過10min
B、冷凍結束后,應即加入溫度為100℃的熱水,加水時間不應超過10min
C、溫控系統(tǒng)應確保在30min內,水溫不低于10℃,且在30min后水溫能保持在(18~20)℃
D、箱內水面應至少高出試件表面20mm
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A、試件架與試件的接觸面積不宜超過試件底面的1/5
B、試件與箱體內壁之間應至少留有20mm空隙
C、試件架中各試件應緊密擺放
D、試件架中各試件之間應至少保持30mm空隙
A、冷凍期間箱內溫度應能保證在(-20~-18)℃范圍
B、融化期間箱內浸泡砼試件的水溫應能保證在(18~20)℃范圍
C、滿載時箱內各點溫度極差不應超過2℃
D、滿載時箱內各點溫度極差不應超過5℃
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
最新試題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
載流子的擴散運動產生擴散電流,漂移運動產生()電流。
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
下列是晶體的是()。
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。