A、試驗(yàn)應(yīng)力為0.75倍預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
B、測(cè)量的是工具錨下應(yīng)力與喇叭形墊板收口處的應(yīng)力差異
C、摩阻損失包括錨具內(nèi)的損失和墊板中的損失
D、實(shí)驗(yàn)結(jié)果為3組平行實(shí)驗(yàn)的平均值
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A、內(nèi)縮量測(cè)量分為直接測(cè)量方式和間接測(cè)量方式
B、試驗(yàn)應(yīng)力為0.8倍預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
C、可以通過測(cè)量預(yù)應(yīng)力筋錨固過程中的應(yīng)力變化得到
D、靜載實(shí)驗(yàn)用的裝置一般不合適用于內(nèi)縮量試驗(yàn)
A、總應(yīng)變測(cè)量若采用量具標(biāo)距的方式,標(biāo)距長(zhǎng)度不應(yīng)小于1m
B、若采用測(cè)量加荷端油缸的位移方式,應(yīng)該考慮實(shí)驗(yàn)儀器的彈性應(yīng)變
C、若采用測(cè)量加荷端油缸的位移方式,總長(zhǎng)度應(yīng)為兩個(gè)夾片起夾點(diǎn)之間的距離
D、若采用測(cè)量加荷端油缸的位移方式,應(yīng)該考慮固定端的內(nèi)縮值
A.高分子防水卷材
B.無(wú)膜雙面自粘
C.聚酯膜
D.瀝青基聚酯胎防水卷材
A.1.2mm
B.3.0mm
C.2.0mm
D.4.0mm
A.上表面五個(gè)試件均無(wú)裂縫,下表面試件五個(gè)均無(wú)裂縫
B.上表面五個(gè)試件有兩個(gè)有裂縫,下表面五個(gè)試件均無(wú)裂縫
C.上表面五個(gè)試件有一個(gè)有裂縫,下表面五個(gè)試件有一個(gè)試件有裂縫
D.上表面五個(gè)試件有一個(gè)試件有裂縫,下表面五個(gè)試件有兩個(gè)試件有裂縫
最新試題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
可用作硅片的研磨材料是()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()