A、施工時使用錨下控制力
B、錨下控制力比錨外控制力小
C、兩者的差是錨頭損失
D、錨外控制力等于油壓值除預(yù)應(yīng)力筋的面積
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A、錨具夾持部分鋼筋孔不直
B、構(gòu)件較短
C、預(yù)應(yīng)力筋的護(hù)套破損
D、錨環(huán)和夾頭硬度不夠
A、使用位移控制方式
B、雙向張拉
C、超張拉回松技術(shù)
D、內(nèi)固定端使用回縮量小的錨具
A、使預(yù)應(yīng)力筋與結(jié)構(gòu)混凝土結(jié)為一體
B、提高構(gòu)件的剛度
C、限定預(yù)應(yīng)力筋的位置
D、防止預(yù)應(yīng)力筋的腐蝕
A、錨具變形
B、夾片位移
C、混凝土收縮
D、預(yù)應(yīng)力筋回縮
A、達(dá)到95%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強度后,中心殘余撓度小于墊板尺寸的1/600
B、達(dá)到90%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強度后,中心殘余撓度小于墊板尺寸的1/500
C、達(dá)到120%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強度后,不得出現(xiàn)裂紋或破壞
D、達(dá)到110%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強度后,不得出現(xiàn)裂紋或破壞
最新試題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
PN結(jié)的基本特性是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()