A、達(dá)到95%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度后，中心殘余撓度小于墊板尺寸的1/600
B、達(dá)到90%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度后，中心殘余撓度小于墊板尺寸的1/500
C、達(dá)到120%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度后，不得出現(xiàn)裂紋或破壞
D、達(dá)到110%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度后，不得出現(xiàn)裂紋或破壞
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A、鐓頭式
B、夾片式
C、壓花式
D、螺母式
A、有防止腐蝕和機(jī)械損傷的措施
B、凸出式錨具的保護(hù)層厚度不小于50mm
C、外露預(yù)應(yīng)力筋的保護(hù)層厚度在正常環(huán)境中不小于20mm
D、外露預(yù)應(yīng)力筋的保護(hù)層厚度在腐蝕環(huán)境中不小于30mm
A、可以用焊割方式截斷
B、需要有防腐蝕措施
C、長度不宜小于預(yù)應(yīng)力筋直徑的5倍
D、不宜小于30mm
A、HRA
B、HRB
C、HBW
D、RBH
A、不同的錨具一般需不同類型的千斤頂
B、有些錨具可以不用千斤頂
C、靜載實(shí)驗(yàn)?zāi)芡耆从冲^具性能
D、錨具外露端應(yīng)有防護(hù)措施
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
可用作硅片的研磨材料是（）
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。