單項選擇題雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
A.變大,變小
B.變小,變大
C.變小,變小
D.變大,變大
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
A.大于
B.等于
C.小于
D.有效的復合中心
2.單項選擇題與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
A、比半導體的大
B、比半導體的小
C、與半導體的相等
3.單項選擇題表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
A、施主態(tài)
B、受主態(tài)
C、電中性
4.單項選擇題最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
A、EA,
B、ED,
C、EF,
D、Ei
5.單項選擇題載流子的擴散運動產生擴散電流,漂移運動產生()電流。
A、漂移
B、隧道
C、擴散
最新試題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括()
題型:單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項選擇題
PN結的基本特性是()
題型:單項選擇題
影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
題型:單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題