A.直接與距離射源的距離平方成正比
B.直接與物質(zhì)的厚度成正比
C.與物質(zhì)中產(chǎn)生的散射量成反比
D.與物質(zhì)厚度成指數(shù)比
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A.并不固定
B.隨管電壓變化
C.隨管電壓的增高而減小
D.以上都是
A.康普頓效應(yīng)
B.電子對(duì)生成
C.光電效應(yīng)
D.吸收
A.隨作用物質(zhì)的原子序數(shù)增加而增加
B.隨作用物質(zhì)的原子序數(shù)增加而降低
C.隨作用物質(zhì)的原子序數(shù)減低而增加
D.隨輻射線的強(qiáng)度降低而增加
A.10KeV-500KeV
B.100KeV-10Mev
C.1.02MeV以上
D.10KeV以下
A.10KeV-500KeV
B.100KeV-10MeV
C.1.02Mev
D.10KeV以上
最新試題
最容易發(fā)生康普頓效應(yīng)的射線能量為()
下列對(duì)耦合劑應(yīng)該具有的特點(diǎn)的描述,不正確的一項(xiàng)是()
探頭的分辨力()
原子是元素的具體存在,是體現(xiàn)元素性質(zhì)的最小微粒。
某超聲波探頭,壓電晶片的頻率常數(shù)Nt=1500m/s晶片厚度為0.3mm,則該探頭工作頻率為()
使用變型波檢測(cè)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是()
底片清晰度與增感屏顆粒度的關(guān)系是()
光電效應(yīng)發(fā)生的機(jī)率隨什么變化()
一個(gè)均勻的輻射光束強(qiáng)度為I0的射線,穿過(guò)一個(gè)厚度為X的物質(zhì),其強(qiáng)度降低量為I,可用I=-μI0X表示,μ為比例常數(shù),此式代表什么現(xiàn)象()
最容易發(fā)生光電效應(yīng)的射線能量為()