填空題從半導(dǎo)體制造來(lái)講，晶圓中用的最廣的晶體平面的密勒符號(hào)是（）、（）和（）。
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最新試題
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來(lái)源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。
題型：多項(xiàng)選擇題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：?jiǎn)柎痤}
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？
題型：?jiǎn)柎痤}
試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。
題型：?jiǎn)柎痤}
MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。
題型：多項(xiàng)選擇題
BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。
題型：多項(xiàng)選擇題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？
題型：?jiǎn)柎痤}
晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。
題型：多項(xiàng)選擇題
由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過(guò)（）等步驟。
題型：多項(xiàng)選擇題