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填空題淀積膜的過程有三個不同的階段。第一步是（），第二步是（），第三步是（）。

1.填空題目前常用的CVD系統(tǒng)有（）、（）和（）。

2.填空題立式爐的工藝腔或爐管是對硅片加熱的場所，它由垂直的（）、（）和（）組成。

3.填空題硅片上的氧化物主要通過（）和（）的方法產生，由于硅片表面非常平整，使得產生的氧化物主要為層狀結構，所以又稱為（）。

4.填空題列出熱氧化物在硅片制造的4種用途（）、（）、場氧化層和（）。

5.填空題選擇性氧化常見的有（）和（），其英語縮略語分別為LOCOS和（）。