最新試題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請畫出Id2的大致變化,并說明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。
題型:問答題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設(shè)計上采取哪些措施?
題型:問答題
試用電導(dǎo)率為102/(Ω·cm),厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻,設(shè)電阻寬1μm,求其長。
題型:問答題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么?
題型:問答題
根據(jù)圖,給出M2管的漏極電流表達式。
題型:問答題
半導(dǎo)體工藝技術(shù)中,器件互連材料通常包括()等。
題型:多項選擇題
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)?
題型:問答題
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的()材料等。
題型:多項選擇題
由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容,這種電容稱為()。
題型:單項選擇題
在晶體材料中,對于長程有序的原子模式最基本的實體就是()。
題型:單項選擇題