單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法每個(gè)測(cè)位應(yīng)均勻布置()彈擊點(diǎn),選定彈擊點(diǎn)應(yīng)避開(kāi)磚的邊緣、灰縫中的氣孔。
A.12個(gè)
B.15個(gè)
C.16個(gè)
D.18個(gè)
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1.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法彈擊點(diǎn)處應(yīng)磨掉表面砂漿,深度應(yīng)為()。
A.3-8mm
B.5-10mm
C.8-15mm
D.10-15mm
2.單項(xiàng)選擇題位雙剪法檢測(cè)時(shí),下列哪個(gè)部位可以布設(shè)測(cè)點(diǎn)()。
A.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
B.后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體
C.完整墻體中部
D.獨(dú)立磚柱
3.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法測(cè)試碳化深度時(shí)應(yīng)用濃度為()的酚酞酒精溶液。
A.1%-2%
B.2%-3%
C.3%-4%
D.4%-5%
4.單項(xiàng)選擇題砂漿片試件的剪切測(cè)試,應(yīng)對(duì)試件勻速連續(xù)施加荷載,加荷速度不宜大于(),直至試件破壞。
A.8N/s
B.10N/s
C.15N/s
D.20N/s
5.單項(xiàng)選擇題砂漿片剪切法所用的砂漿測(cè)強(qiáng)儀上下刀片中心間距為()。
A.1.8±0.05mm
B.2.0±0.05mm
C.2.2±0.05mm
D.2.4±0.05mm
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題