單項(xiàng)選擇題點(diǎn)荷法檢測砌筑砂漿強(qiáng)度時(shí)，測試用的壓力試驗(yàn)機(jī)，最小讀數(shù)盤宜為（）以內(nèi)。

A.50kN
B.60kN
C.80kN
D.100kN


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2.單項(xiàng)選擇題原位雙剪法檢測時(shí)，對于測試步驟以下說法不正確的是（）。

A.測試時(shí)，應(yīng)將剪切儀主機(jī)放入開鑿好的孔洞中，并應(yīng)使儀器的承壓板與試件的磚塊頂面重合
B.儀器軸線與磚塊軸線應(yīng)吻合開鑿孔洞過長時(shí)，在儀器尾部應(yīng)另加墊塊
C.加荷的全過程宜為3min~7mim
D.操作剪切儀，應(yīng)勻速施加水平荷載，并應(yīng)直至試件和砌體之間產(chǎn)生相對位移，試件達(dá)到破壞狀態(tài)

最新試題

PN結(jié)的基本特性是（）

題型：單項(xiàng)選擇題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

題型：單項(xiàng)選擇題

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

題型：單項(xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

題型：單項(xiàng)選擇題

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

題型：單項(xiàng)選擇題

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

題型：單項(xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

題型：單項(xiàng)選擇題

對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型：單項(xiàng)選擇題

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

題型：單項(xiàng)選擇題

表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

題型：單項(xiàng)選擇題