單項選擇題在抗震設防烈度為8度及8度以上地區(qū),對不能同時砌筑而又必須六只的臨時間斷處應砌成斜槎,普通磚砌體斜槎水平投影長度不應小于高度的()。
A.1/3
B.2/3
C.1/2
D.1/4
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題磚砌體工程中每一生產(chǎn)廠家,燒結(jié)普通磚、混凝土實心磚沒()為一檢驗批,不足數(shù)量時按1批計,抽檢數(shù)量為1組。
A.5萬塊
B.10萬塊
C.15萬塊
D.20萬塊
2.單項選擇題夾心復合墻的砌筑,拉結(jié)件設置應符合設計要求,拉結(jié)件在葉墻上的擱置長度不應小于葉墻厚度的2/3,并不應小于()。
A.50mm
B.60mm
C.70mm
D.80mm
3.單項選擇題配置砌筑砂漿時,各組分材料應采用質(zhì)量計量,水泥及各種外加劑配料的允許偏差為()。
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
4.單項選擇題砌筑砂漿應進行配合比設計,當砌體為燒結(jié)普通磚或蒸壓粉煤灰磚砌體時,其砂漿稠度應為()。
A.70-90
B.50-70
C.60-80
D.30-50
5.單項選擇題扁頂法的特點有()。
A.屬原位檢測,直接在墻體上測試,測試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)
B.直觀性,可比性強
C.砌體強度較高或軸向變形較大時,容易測出抗壓強度
D.檢測部位局部破損
最新試題
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
題型:單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括()
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
題型:單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題