A.扁頂法
B.回彈法
C.原位軸壓法
D.筒壓法
E.切制抗壓試件法
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、《砌體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)規(guī)范》
B、《砌體結(jié)構(gòu)工程施工質(zhì)量驗(yàn)收規(guī)范》
C、《建筑工程施工質(zhì)量驗(yàn)收統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)》
D、《砌體基本力學(xué)性能試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)》
E、《砌體工程現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)》
A、單塊
B、雙塊
C、半塊
D、整體
A、混凝土和砂漿配合比通知單
B、混凝土和砂漿試件抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)報(bào)告單
C、各檢驗(yàn)批的主控項(xiàng)目、一般項(xiàng)目的驗(yàn)收記錄
D、施工記錄
E、施工圖紙
A、360mm
B、370mm
C、480mm
D、490mm
A、每級(jí)荷載可取預(yù)估破壞荷載的10%
B、應(yīng)在1min~1.5mim內(nèi)均勻加完,然后恒載2min
C、加荷至預(yù)估破壞荷載的90%后,應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷,直至槽間砌體破壞
D、加荷至預(yù)估破壞荷載的80%后,應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷,直至槽間砌體破壞
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。