單項(xiàng)選擇題冷熱加工的區(qū)別在于加工后是否存在（）。
A.加工硬化
B.晶格改變
C.纖維組織
D.以上答案都對(duì)
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1.單項(xiàng)選擇題再結(jié)晶和重結(jié)晶都有晶核的形成和晶核的長大兩個(gè)過程，它們的主要區(qū)別在于是否有（）的改變。
A、溫度
B、晶體結(jié)構(gòu)
C、應(yīng)力狀態(tài)
D、以上答案都對(duì)
2.單項(xiàng)選擇題做疲勞試驗(yàn)時(shí)，試樣承受的載荷為（）。
A、靜載荷
B、沖擊載荷
C、交變載荷
D、以上答案都對(duì)
5.填空題20CrMnTi鋼中20表示（）。
最新試題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
題型：單項(xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項(xiàng)選擇題